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海力士已經(jīng)開發(fā)出了容量2Gb的DDR4 DRAM內(nèi)存顆粒
隨著東芝/晟碟(Toshiba/SanDisk)的四日市(Yokkaichi)合資廠受地震影響，3月份主流的MLC NAND Flash合約均價上漲約達(dá)5-15%，但3月下旬的部份TLC合約均價則出現(xiàn)約10%的跌幅，主要是因有些供貨商其2xnm TLC新產(chǎn)品采取了較優(yōu)惠的定價策略，以吸引記憶卡及UFD客戶于1Q季底前增加其采購量。但2Q NAND Flash市場的供需狀況仍將會受到一些供需不確定因素的影響 就需求面而言：1.) 2Q的記憶卡及UFD通路市場仍將受傳統(tǒng)淡季效應(yīng)的影響。2.) 考慮災(zāi)后日本市場對NAND Flash終端產(chǎn)品的需求短期內(nèi)將可能會下降，以及部份NAND Flash終端產(chǎn)品的出貨量將受限于零件短缺或業(yè)者遞延部份新產(chǎn)品的鋪貨時程等因素而減少，故也將可能會影響到2Q或3Q NAND Flash終端產(chǎn)品的銷售量。
4月份NAND Flash市場在上述這些供給及需求面的多空因素相互影響下，預(yù)期NAND Flash合約價格可望維持大致穩(wěn)定，但隨著日本東北及關(guān)東(Kanto)地區(qū)的限電因素在2Q中逐漸獲得改善后，預(yù)期NAND Flash合約價格將可能會轉(zhuǎn)為反應(yīng)2Q中的淡季效應(yīng)而走軟。
三星電子搶先行動整整三個月之后，另一家半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix Semiconductor)今天也宣布下代DDR4內(nèi)存顆粒、內(nèi)存條開發(fā)完畢。
海力士已經(jīng)開發(fā)出了容量2Gb(256MB)的DDR4 DRAM內(nèi)存顆粒，以及容量2GB的DDR4 ECC SO-DIMM內(nèi)存條，支持錯誤校驗功能，均采用先進的30nm級別工藝制造，完全符合JEDEC組織制定的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。
海力士DDR4 DRAM內(nèi)存顆粒的運行速度高達(dá)2400MHz，比目前主流的DDR3-1333快了整整80％，也比三星DDR4快了266MHz，同時運行電壓僅有1.2V，64-bit I/O接口下數(shù)據(jù)傳輸帶寬高達(dá)19.2GB/s。
海力士計劃2012年下半年開始批量生產(chǎn)這種高性能DDR4內(nèi)存，主要提供給微型服務(wù)器(micro server)市場，暫無消費級產(chǎn)品規(guī)劃。
市調(diào)機構(gòu)iSuppli認(rèn)為，DDR4 DRAM在整個內(nèi)存市場上的份額2013年約為5％，2015年即可超過50％成為主流，同時DDR3 DRAM內(nèi)存在2012年達(dá)到71％的份額高峰，2014年就會迅速滑落到49％。
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